ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > PRF949,115
Datasheet下载- 型号： PRF949,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PRF949,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PRF949,115价格参考。NXP SemiconductorsPRF949,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 50mA 9GHz 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载PRF949,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PRF949,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PRF949,115 是由 NXP USA Inc. 生产的双极射频晶体管（BJT），主要用于射频放大和开关应用。以下是该型号的主要应用场景： 1. 射频功率放大器 PRF949,115 广泛应用于射频功率放大器中，特别是在高频通信系统中。它能够提供高效的功率增益，适用于VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段。典型的应用包括无线电发射机、对讲机、无线麦克风等设备中的功率放大模块。 2. 调制解调器 在调制解调器中，PRF949,115 可以用于信号的调制和解调过程中的放大。它能够在高频条件下保持良好的线性度，确保信号的完整性，减少失真。这使得它在无线通信设备中表现出色。 3. 移动通信基站 在移动通信基站中，PRF949,115 可以作为射频前端的关键组件，用于信号的放大和处理。它能够承受较高的工作电压和电流，适合在高功率输出的情况下稳定工作，确保基站的可靠性和高效运行。 4. 雷达系统 PRF949,115 在雷达系统中也有重要应用，尤其是在脉冲雷达中。它可以用于脉冲信号的放大，帮助提高雷达系统的探测距离和精度。其快速的开关特性和低噪声性能使其成为雷达系统中的理想选择。 5. 工业无线通信 在工业自动化和物联网（IoT）领域，PRF949,115 可用于各种无线通信模块中，如无线传感器网络、远程监控系统等。它能够适应恶劣的工作环境，提供稳定的射频性能，确保数据传输的可靠性和实时性。 6. 测试与测量设备 在射频测试与测量设备中，PRF949,115 可用于信号源、频谱分析仪等仪器中，作为信号放大部分的关键元件。它的高增益和低噪声特性有助于提高测量精度，确保测试结果的准确性。 总之，PRF949,115 凭借其优异的射频性能和可靠性，广泛应用于各类射频放大和开关场景，特别是在通信、雷达、工业自动化等领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 10V 9GHZ SOT416射频双极晶体管 NPN 10V 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors PRF949,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PRF949,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2085-1 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9 GHz |
| 最大直流电集电极电流 | 50 mA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 零件号别名 | PRF949 T/R |
| 频率 | 9 GHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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