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- 型号： PMZB420UN,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMZB420UN,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZB420UN,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMZB420UN,315价格参考以及NXP SemiconductorsPMZB420UN,315封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMZB420UN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMZB420UN,315详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFNMOSFET 30V Single N-channel Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 900 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMZB420UN,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMZB420UN,315 |
| Pd-PowerDissipation | 2700 mW |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W |
| Qg-GateCharge | 0.75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.75 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 65pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.98nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 490 毫欧 @ 200mA， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10844-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 420 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN1006B-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 900 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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