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- 型号： PMXB65ENE
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMXB65ENE产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB65ENE由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMXB65ENE价格参考以及NXP SemiconductorsPMXB65ENE封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMXB65ENE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMXB65ENE详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMXB65ENE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 67 毫欧 @ 3.2A， 10V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 其它名称 | 568-10949-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-dfn1010-transistors/3980 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
