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PMV65UN,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV65UN,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV65UN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV65UN,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 310mW(Ta),2.17W(Tc) TO-236AB(SOT23)。您可以下载PMV65UN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMV65UN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV65UN,215 是由 NXP USA Inc. 生产的单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这种晶体管具有低导通电阻和快速开关速度,适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域: 1. 电源管理 PMV65UN,215 常用于电源管理电路中,特别是在低压、高效能的电源转换系统中。它能够有效地控制电流的开关,从而实现高效的电压调节。例如,在DC-DC转换器、线性稳压器等设备中,该MOSFET可以确保电源系统的稳定性和效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,PMV65UN,215 可以作为功率开关,控制电机的启动、停止和调速。由于其低导通电阻特性,可以在高频开关条件下保持较低的功耗,适合用于风扇、泵、伺服电机等设备的驱动电路。 3. 负载开关 该器件也可用作负载开关,用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。通过快速响应和低导通电阻,PMV65UN,215 能够在不影响系统性能的情况下,提供可靠的保护功能。 4. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,PMV65UN,215 可以用于电池充放电控制,确保电池的安全和寿命。它能够在电池过充、过放或温度异常时迅速切断电流,防止损坏电池和其他电子元件。 5. 消费电子 PMV65UN,215 广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它在这些设备中负责电源管理和信号切换,确保设备的高效运行和长续航时间。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,PMV65UN,215 可用于控制传感器、执行器和其他外围设备的电源供应。它的高可靠性和低功耗特性使其非常适合用于工厂自动化系统中的各种控制模块。 总之,PMV65UN,215 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理、消费电子和工业自动化等多个领域,为各类电子设备提供了高效、稳定的性能保障。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V SOT-23MOSFET N-Chan 20V 2A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV65UN,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PMV65UN,215 |
Pd-PowerDissipation | 455 mW |
Pd-功率耗散 | 455 mW |
Qg-GateCharge | 3.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 3.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 76 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 76 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 18 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 183pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 76 毫欧 @ 2A, 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-10837-1 |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 310mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 8.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |