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  • 型号: PMV65UN,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMV65UN,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMV65UN,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV65UN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV65UN,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 310mW(Ta),2.17W(Tc) TO-236AB(SOT23)。您可以下载PMV65UN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMV65UN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMV65UN,215 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于增强型 N 沟道功率 MOSFET。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用领域。

 应用场景:

1. 电源管理:
   PMV65UN,215 广泛应用于各种电源管理系统中,如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源转换效率,特别适合需要高效能和小体积的电源设计。

2. 电机驱动:
   该器件可用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的驱动电路中。由于其快速的开关特性和低损耗,能够有效提升电机控制系统的响应速度和精度,同时降低能耗。

3. 电池管理系统(BMS):
   在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,PMV65UN,215 可用于电池充放电保护、电流检测和均衡控制等功能,确保电池的安全运行和延长使用寿命。

4. 逆变器和变频器:
   对于太阳能逆变器、风力发电逆变器及工业变频器等应用场景,PMV65UN,215 的高耐压和大电流承载能力使其成为理想的开关元件选择,能够在恶劣环境下稳定工作,提供高效的能量转换。

5. 消费电子产品:
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中,PMV65UN,215 可用于充电接口保护、负载开关等环节,保障设备的安全性和可靠性。

总之,PMV65UN,215 凭借其卓越的电气特性,在各类电力电子设备中发挥着重要作用,尤其在追求高效、紧凑和可靠性的应用场合表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V SOT-23MOSFET N-Chan 20V 2A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.2 A

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV65UN,215-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

PMV65UN,215

Pd-PowerDissipation

455 mW

Pd-功率耗散

455 mW

Qg-GateCharge

3.9 nC

Qg-栅极电荷

3.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

76 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

76 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

18 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

183pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

76 毫欧 @ 2A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-10837-1

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

310mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8.7 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

通道模式

Enhancement

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