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型号： PMV65UN,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PMV65UN,215产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PMV65UN,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV65UN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV65UN,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 310mW（Ta），2.17W（Tc） TO-236AB（SOT23）。您可以下载PMV65UN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV65UN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 20V SOT-23MOSFET N-Chan 20V 2A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	2.2 A
Id-连续漏极电流	2.2 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV65UN,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PMV65UN,215
Pd-PowerDissipation	455 mW
Pd-功率耗散	455 mW
Qg-GateCharge	3.9 nC
Qg-栅极电荷	3.9 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	76 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	76 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1 V
上升时间	18 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	183pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	3.9nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	76 毫欧 @ 2A， 4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-23 (TO-236AB)
其它名称	568-10837-1
典型关闭延迟时间	21 ns
功率-最大值	310mW
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	8.7 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2A （Ta）
通道模式	Enhancement