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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23MOSFET Small Signal MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV16UN,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PMV16UN,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 510 mW |
Pd-功率耗散 | 510 mW |
Qg-GateCharge | 7.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 5.8A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-7533-6 |
功率-最大值 | 510mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 15 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 18 S |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 5.8 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A (Ta) |
配置 | Single |