ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PMT21EN,115
Datasheet下载- 型号： PMT21EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PMT21EN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT21EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT21EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMT21EN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 7.4A（Ta） 820mW（Ta），8.33W（Tc） SC-73。您可以下载PMT21EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT21EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMT21EN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 588pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.4nC @ 15V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.4A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-10997-1 |
| 功率-最大值 | 820mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Ta） |
SOT223-1.jpg)
