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  • 型号: PMR400UN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMR400UN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMR400UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMR400UN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMR400UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMR400UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

800 mA

Id-连续漏极电流

800 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMR400UN,115TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

PMR400UN,115

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

530 mW

Pd-功率耗散

530 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

400 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

400 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

7.5 ns

下降时间

7.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

43pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.89nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

480 毫欧 @ 200mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-75

其它名称

568-7438-1

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

530mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

SOT-416-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

800mA (Tsp)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

PMR400UN T/R

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