ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PMPB95ENEAX
Datasheet下载- 型号： PMPB95ENEAX
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB95ENEAX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB95ENEAX价格参考。NXP SemiconductorsPMPB95ENEAX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 2.8A（Ta） 1.6W（Ta），15.6W（Tc） DFN2020MD-6。您可以下载PMPB95ENEAX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB95ENEAX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V SOT1220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMPB95ENEAX |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 504pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 2.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 934067476115 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
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