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  • 型号: PMPB20XPE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB20XPE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB20XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB20XPE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 7.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) DFN2020MD-6。您可以下载PMPB20XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMPB20XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220MOSFET PMPB20XPE/SOT1220/REEL7

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 10.3 A

Id-连续漏极电流

- 10.3 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB20XPE,115-

数据手册

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产品型号

PMPB20XPE,115

Pd-PowerDissipation

12.5 W

Pd-功率耗散

12.5 W

Qg-GateCharge

30 nC

Qg-栅极电荷

30 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

19 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.68 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.68 V

上升时间

60 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

294pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23.5 毫欧 @ 7.2A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN2020MD (2x2)

其它名称

568-10817-1

典型关闭延迟时间

92 ns

功率-最大值

1.7W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020MD-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.2A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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