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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMPB15XN,115 |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21 毫欧 @ 7.3A, 4.5V |
供应商器件封装 | 6-DFN2020MD (2x2) |
其它名称 | 568-10452-2 |
功率-最大值 | 1.7W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Ta) |