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  • 型号: PMN48XP,125
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMN48XP,125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN48XP,125价格参考。NXP SemiconductorsPMN48XP,125封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.1A(Ta) 530mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP。您可以下载PMN48XP,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMN48XP,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PMN48XP,125 是一款单通道 MOSFET 晶体管,具体应用场景如下:

 1. 电源管理
PMN48XP,125 适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高效率电源转换应用中表现出色,能够减少功率损耗,提高系统效率。

 2. 电机驱动
该器件可以用于小型电机驱动电路中,例如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等。MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻有助于实现高效的电机控制,同时减少发热和能量损失。

 3. 负载切换
PMN48XP,125 可以用作负载切换开关,广泛应用于消费电子设备、工业控制系统和汽车电子中。它能够在需要时迅速切断或接通负载电流,确保系统的安全性和稳定性。

 4. 信号处理
在某些信号处理电路中,MOSFET 可以作为模拟开关使用。PMN48XP,125 的低栅极电荷(Qg)使其具备快速响应能力,适合用于高频信号处理场合,如音频放大器、数据采集系统等。

 5. 保护电路
该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测电流并通过MOSFET快速切断电流路径,可以有效防止因过载或短路引起的损坏。

 6. 通信设备
在通信设备中,PMN48XP,125 可用于电源管理和信号切换,确保设备在不同工作模式下的稳定运行。其紧凑的封装形式也有助于节省空间,满足现代通信设备对小型化的需求。

总之,PMN48XP,125 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多种应用场景中都能发挥重要作用,特别是在需要高效、快速响应和低功耗的电路设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 4.1 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN48XP,125-

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数据手册

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产品型号

PMN48XP,125

Pd-PowerDissipation

6250 mW

Pd-功率耗散

6.25 W

Qg-GateCharge

8.7 nC

Qg-栅极电荷

8.7 nC

RdsOn-漏源导通电阻

48 mOhms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

上升时间

22 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 2.4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-10803-1

典型关闭延迟时间

51 ns

功率-最大值

530mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

48 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 4.1 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.1A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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