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Datasheet下载- 型号： PMN48XP,125
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN48XP,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN48XP,125价格参考。NXP SemiconductorsPMN48XP,125封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.1A（Ta） 530mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP。您可以下载PMN48XP,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN48XP,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN48XP,125 是一种压电材料，通常用于制造高性能的压电器件。这类材料在电信号和机械能之间具有高效的转换能力，因此广泛应用于多种领域。以下是 PMN48XP,125 的一些典型应用场景： 1. 超声波换能器 PMN48XP,125 材料具有高机电耦合系数和低介电损耗，使其非常适合用于超声波换能器。这种换能器可以将电信号转换为超声波机械振动，或反之将超声波振动转换为电信号。它被广泛应用于医疗成像（如超声波诊断）、无损检测（如工业探伤）以及水下通信等领域。 2. 精密驱动与控制 该材料的高灵敏度和快速响应特性使其成为精密驱动系统的理想选择。例如，在纳米级定位系统中，PMN48XP,125 可以用于制造压电执行器，实现亚微米甚至纳米级别的精确位移控制。这种应用常见于半导体制造设备、光学仪器以及高端自动化设备中。 3. 高频滤波器 PMN48XP,125 材料的高频特性和低损耗特性使其适合用于制造高性能的高频滤波器。这些滤波器可以有效地过滤掉不需要的频率成分，确保信号的纯净度。它们常用于无线通信设备、雷达系统以及卫星通信等需要高精度频率控制的场合。 4. 传感器 由于其优异的压电性能，PMN48XP,125 还可用于制造各种类型的传感器，如压力传感器、加速度传感器和力传感器。这些传感器能够将物理量的变化转换为电信号输出，广泛应用于汽车电子、智能家居、工业自动化等领域。 5. 能量收集 PMN48XP,125 材料还可以用于能量收集装置，通过捕捉环境中的机械振动或其他形式的能量，并将其转换为电能。这种技术可以为小型电子设备提供持续的电力来源，特别适用于物联网（IoT）设备和可穿戴电子产品。 总之，PMN48XP,125 材料凭借其卓越的压电性能，在多个高科技领域有着广泛的应用前景，尤其是在对精度、响应速度和可靠性要求极高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 4.1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN48XP,125- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN48XP,125 |
| Pd-PowerDissipation | 6250 mW |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10803-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 48 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 4.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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