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  • 型号: PML260SN,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PML260SN,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PML260SN,118价格参考。NXP SemiconductorsPML260SN,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PML260SN,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PML260SN,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSONMOSFET TAPE13 TRENCH 30V G3

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.8 A

Id-连续漏极电流

8.8 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PML260SN,118TrenchMOS™

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产品型号

PML260SN,118

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

294 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

294 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

657pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

294 毫欧 @ 2.6A,10V

产品种类

MOSFETs - Arrays

供应商器件封装

8-DFN3333(3.3x3.3)

其它名称

568-9716-1

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

50W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-VDFN 裸露焊盘

封装/箱体

HVSON-8

工厂包装数量

1400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.8A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

/T3 PML260SN

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