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  • 型号: PMGD8000LN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD8000LN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD8000LN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD8000LN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMGD8000LN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMGD8000LN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

PMGD8000LN,115

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

18.5pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.35nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 欧姆 @ 10mA,4V

产品目录页面

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供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-2370-6

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

125mA

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