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Datasheet下载- 型号： PMGD780SN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD780SN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD780SN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD780SN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 490mA 410mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMGD780SN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMGD780SN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMGD780SN,115 是一款高性能的电源管理集成电路（IC），广泛应用于需要高效、稳定电源管理的电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 工业自动化设备：在工业控制系统中，PMGD780SN,115 可以为PLC（可编程逻辑控制器）、传感器和执行器等提供稳定的电源管理，确保系统在复杂环境下正常运行。它具备高效的电源转换效率，能够减少能量损耗，提高系统的可靠性和稳定性。 2. 通信设备：在基站、路由器和交换机等通信设备中，PMGD780SN,115 可以用于电源模块，为设备的核心组件提供稳定的电压和电流。它支持宽输入电压范围，能够在不同供电条件下保持输出的稳定性，适用于多种通信场景。 3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式设备中，PMGD780SN,115 可以作为电源管理芯片，优化电池的充电和放电过程，延长电池寿命，并提升设备的整体性能。它还具有低功耗特性，有助于降低设备的发热量，提高用户体验。 4. 汽车电子系统：在现代汽车中，PMGD780SN,115 可用于车载娱乐系统、导航系统和驾驶辅助系统等。它能够应对汽车启动时的电压波动，确保电子设备的稳定工作。此外，该芯片还支持快速响应和高精度调节，适应复杂的车载环境。 5. 医疗设备：在医疗仪器如监护仪、超声波设备和便携式医疗检测仪中，PMGD780SN,115 提供了高精度的电源管理功能，确保设备在关键应用中的可靠性。它还具备过压保护、过流保护等多种安全机制，保障患者和医护人员的安全。 6. 智能家居系统：在智能门锁、安防摄像头和智能家电中，PMGD780SN,115 可以实现高效的电源管理，支持远程控制和自动化操作。它的小型化设计使得其易于集成到各种紧凑型设备中，满足智能家居市场的需求。 总之，PMGD780SN,115 凭借其高效、稳定和多功能的特点，广泛应用于各类电子设备中，为不同的应用场景提供了可靠的电源管理解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOPMOSFET N-CH TRENCH DL 60V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 490 mA |
| Id-连续漏极电流 | 490 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD780SN,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMGD780SN,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 410 mW |
| Pd-功率耗散 | 410 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 780 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 780 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.05nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 920 毫欧 @ 300mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2369-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 5 ns |
| 功率-最大值 | 410mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 780 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 490 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 490mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | PMGD780SN T/R |
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