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Datasheet下载- 型号： PMGD780SN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD780SN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD780SN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD780SN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 490mA 410mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMGD780SN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMGD780SN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PMGD780SN,115 是一款晶体管 - FET，MOSFET 阵列，适用于多种应用场景。具体来说，这款 MOSFET 阵列具有低导通电阻和高开关速度，适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理： - 该器件常用于 DC-DC 转换器、电压调节模块 (VRM) 和电池管理系统 (BMS) 中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如无人机、智能家居设备和消费电子产品中的无刷直流电机 (BLDC)，PMGD780SN,115 可以提供高效的开关控制，确保电机运行平稳且节能。 3. 信号切换与保护： - 该 MOSFET 阵列可用于高速信号切换电路，如 USB Type-C 端口保护、音频信号切换等。它能够快速响应并有效隔离不同电平的信号，防止过压和过流损坏敏感元件。 4. 便携式电子设备： - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，PMGD780SN,115 的小封装和低功耗特性使其成为理想选择。它可以用于充电电路、背光驱动和传感器接口等模块。 5. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器 (PLC) 和人机界面 (HMI)，PMGD780SN,115 可用于实现输入输出信号的高效控制和隔离，确保系统的稳定性和安全性。 6. 汽车电子： - 汽车领域的应用包括车身控制模块 (BCM)、LED 照明系统和电动助力转向 (EPS) 等。该器件的高温性能和抗电磁干扰能力使其适合严苛的车载环境。 总之，PMGD780SN,115 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于各类需要高性能、低功耗和高可靠性的电子设备中，为设计者提供了灵活且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOPMOSFET N-CH TRENCH DL 60V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 490 mA |
| Id-连续漏极电流 | 490 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD780SN,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMGD780SN,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 410 mW |
| Pd-功率耗散 | 410 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 780 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 780 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.05nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 920 毫欧 @ 300mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2369-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 5 ns |
| 功率-最大值 | 410mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 780 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 490 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 490mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | PMGD780SN T/R |
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