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  • 型号: PMGD290XN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD290XN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD290XN,115价格参考¥0.48-¥0.48。NXP SemiconductorsPMGD290XN,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 860mA 410mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMGD290XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMGD290XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOPMOSFET N-CH TRENCH DL 20V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

860 mA

Id-连续漏极电流

860 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD290XN,115TrenchMOS™

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产品型号

PMGD290XN,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

410 mW

Pd-功率耗散

410 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

290 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

290 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

11 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

34pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.72nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

350 毫欧 @ 200mA,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-2366-1

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

410mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

860mA

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

PMGD290XN T/R

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