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Datasheet下载- 型号： PMGD290XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD290XN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD290XN,115价格参考￥0.48-￥0.48。NXP SemiconductorsPMGD290XN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 860mA 410mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMGD290XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMGD290XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的PMGD290XN,115是一款晶体管阵列，具体为FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件的应用场景广泛，适用于多种电子设备和系统中。以下是其主要应用场景的详细介绍： 1. 电源管理 PMGD290XN,115常用于电源管理系统中，尤其是在需要高效、低功耗和小型化设计的场合。它能够处理高电流和快速开关操作，适合用于： - DC-DC转换器：在便携式设备、汽车电子和工业控制系统中，作为功率级元件，帮助实现高效的电压转换。 - 负载开关：用于控制电路中的电源通断，确保设备在待机或关机状态下消耗最小的电流。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，PMGD290XN,115可以作为驱动电路的关键元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。常见的应用场景包括： - 步进电机和伺服电机：在自动化设备、机器人和智能家居产品中，提供精确的电机控制。 - 风扇和泵控制器：在家电和工业设备中，用于调节风扇和泵的工作状态，优化能耗。 3. 信号切换 该器件还适用于信号切换应用，特别是在需要高速切换和低导通电阻的情况下。它可以用于： - 音频信号切换：在音响设备、耳机放大器等音频产品中，实现不同输入源之间的快速切换。 - 数据通信接口：在USB、HDMI等高速数据传输接口中，作为信号路径的开关，确保数据传输的稳定性和可靠性。 4. 电池保护 PMGD290XN,115在电池管理系统中也发挥着重要作用，特别是在锂电池和可充电电池的应用中。它可以用于： - 过充/过放保护：防止电池因过度充电或放电而损坏，延长电池寿命。 - 短路保护：在发生短路时迅速切断电路，避免电池和设备受损。 5. 消费电子产品 由于其紧凑的设计和高效的性能，PMGD290XN,115广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以帮助这些设备实现更长的续航时间和更小的体积。 总之，PMGD290XN,115凭借其高性能、低功耗和紧凑的封装，在电源管理、电机驱动、信号切换、电池保护和消费电子产品等领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOPMOSFET N-CH TRENCH DL 20V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 860 mA |
| Id-连续漏极电流 | 860 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD290XN,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMGD290XN,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 410 mW |
| Pd-功率耗散 | 410 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 34pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2366-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 410mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | PMGD290XN T/R |
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