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Datasheet下载- 型号： PMGD290XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD290XN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD290XN,115价格参考￥0.48-￥0.48。NXP SemiconductorsPMGD290XN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 860mA 410mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMGD290XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMGD290XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMGD290XN,115 是一种用于电力电子领域的高压 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）器件，其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 开关电源 PMGD290XN,115 可广泛应用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流管。该器件具有较低的导通电阻和较高的耐压特性，能够在高频率下实现高效的功率转换，适用于各种类型的开关电源设计，如AC-DC、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，PMGD290XN,115 可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。它能够承受较大的电流波动，并且具备快速的开关速度，有助于提高电机的响应速度和效率，降低能耗。 3. 光伏逆变器 在光伏发电系统中，PMGD290XN,115 可用于光伏逆变器的核心电路，负责将直流电转换为交流电并接入电网。由于其高耐压和低损耗特性，该器件能够有效提升逆变器的工作效率，减少能量损失。 4. 不间断电源（UPS） PMGD290XN,115 在不间断电源系统中也扮演着重要角色，特别是在逆变和整流环节。它能够确保在市电中断时，电池能够迅速接管供电，保证负载设备的正常运行，同时减少切换过程中的电压波动和电流冲击。 5. 电动汽车（EV）及充电桩 在电动汽车和充电桩的设计中，PMGD290XN,115 可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电动机控制器等关键部件。其高可靠性和耐高温性能使得它能够在严苛的车载环境中稳定工作，确保车辆的安全性和可靠性。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，PMGD290XN,115 可用于各种控制系统的功率输出级，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。它能够提供稳定的电流输出，支持复杂的运动控制和位置反馈功能。 总之，PMGD290XN,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景，尤其适合对性能和稳定性要求较高的电力电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOPMOSFET N-CH TRENCH DL 20V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 860 mA |
| Id-连续漏极电流 | 860 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD290XN,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMGD290XN,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 410 mW |
| Pd-功率耗散 | 410 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 34pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2366-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 410mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | PMGD290XN T/R |
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