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  • 型号: PMGD280UN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMGD280UN,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD280UN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD280UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD280UN,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 870mA 400mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PMGD280UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMGD280UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMGD280UN,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET 阵列。该型号具有多种应用场景,尤其适用于需要高效、紧凑和可靠功率管理的电子设备中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
PMGD280UN,115 常用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。它能够提供高效的电流控制和低导通电阻(Rds(on)),从而减少能量损耗,提高转换效率。在便携式设备、消费电子、工业控制系统等领域,这种特性尤为重要。

 2. 电池充电与保护
在电池充电电路中,PMGD280UN,115 可以用作充电路径的控制开关,确保电流平稳输入电池,并防止过充或过放。它的低导通电阻有助于降低发热,延长电池寿命,同时提高充电速度和安全性。

 3. 电机驱动
对于小型电机驱动应用,如无人机、机器人、智能家居设备中的电机控制,PMGD280UN,115 提供了快速响应和精确的电流控制能力。其低导通电阻和高开关频率使其能够在高速切换状态下保持稳定性能,减少能耗并提高系统效率。

 4. 负载开关
在需要频繁切换负载的应用中,PMGD280UN,115 可作为负载开关使用。它可以快速、可靠地切断或接通电路,适用于 USB 充电端口、传感器模块等场景。其低静态电流和快速开关特性使得它在待机模式下也能保持低功耗。

 5. 通信设备
在通信设备中,如基站、路由器等,PMGD280UN,115 可用于信号调理和电源管理。它能够处理高频信号,并提供稳定的电流输出,确保通信系统的正常运行。

 6. 汽车电子
在汽车电子系统中,PMGD280UN,115 可应用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、LED 照明等场景。其耐高温、抗干扰能力强,能够在严苛的汽车环境中保持稳定性能。

总之,PMGD280UN,115 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景,特别适合对效率、体积和成本有严格要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOPMOSFET N-CH TRENCH DL 20V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

870 mA

Id-连续漏极电流

870 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD280UN,115TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

PMGD280UN,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

400 mW

Pd-功率耗散

400 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

280 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

280 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

45pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.89nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

340 毫欧 @ 200mA,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-2365-1

典型关闭延迟时间

18.5 ns

功率-最大值

400mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

870mA

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

PMGD280UN T/R

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