数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMFPB8032XP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMFPB8032XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMFPB8032XP,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMFPB8032XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMFPB8032XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道、 肖特基,金属氧化物! |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMFPB8032XP,115- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | PMFPB8032XP,115 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 6250 mW |
Pd-功率耗散 | 6.25 W |
Qg-GateCharge | 5.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 102 毫欧 @ 2.7A, 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
其它名称 | 568-10788-6 |
典型关闭延迟时间 | 120 ns |
功率-最大值 | 485mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 80 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | DFN2020-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 3.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |