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  • 型号: PMEG4030EP,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMEG4030EP,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG4030EP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG4030EP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG4030EP,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 40V 3A CFP5。您可以下载PMEG4030EP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG4030EP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMEG4030EP,115 是一款肖特基二极管,其主要特点是低正向电压降和快速开关特性。这种二极管广泛应用于各种电子设备中,尤其是在需要高效整流、逆变和保护电路的场合。以下是该元器件的一些具体应用场景:

 1. 电源管理
   PMEG4030EP,115 常用于电源管理系统中,作为整流二极管或续流二极管。它能够在高频开关电源(如DC-DC转换器、AC-DC适配器)中提供高效的整流功能,减少能量损耗,提高电源效率。由于其低正向压降特性,特别适合低压大电流的应用场景。

 2. 太阳能光伏系统
   在太阳能光伏系统中,PMEG4030EP,115 可以用作旁路二极管或阻塞二极管。旁路二极管的作用是在某些光伏板因遮挡或故障无法正常工作时,避免整个系统的电流被阻断;而阻塞二极管则防止电流反向流动,确保系统安全稳定运行。

 3. 电机驱动
   在电机驱动电路中,PMEG4030EP,115 可以用作续流二极管,吸收电机绕组中的感应电流,防止电流突变对电路造成损坏。此外,它还可以用于保护电路中的其他元件免受反向电压的影响。

 4. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,PMEG4030EP,115 可以用于防止电池过充或过放时的电流反向流动,保护电池和其他电路元件。它也可以用于多个电池单元之间的均衡电路中,确保各个电池单元的电压保持一致。

 5. 消费电子产品
   该二极管还广泛应用于各种消费电子产品中,如手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动器等。它的快速开关特性和低功耗特性使得它在这些设备中能够提供更高效的电源管理和更好的性能表现。

 6. 汽车电子
   在汽车电子系统中,PMEG4030EP,115 可用于车载电源系统的整流、稳压以及保护电路。例如,在汽车发电机中,它可以作为整流二极管,将交流电转换为直流电供车辆使用;同时,它还可以用于保护车载电子设备免受瞬态电压冲击。

总之,PMEG4030EP,115 凭借其优异的电气特性,适用于多种需要高效整流、快速开关和保护功能的电子设备和系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD128整流器 3 A low Vf MEGA Schottky rectifier

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,整流器,NXP Semiconductors PMEG4030EP,115-

数据手册

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产品型号

PMEG4030EP,115

PCN封装

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不同If时的电压-正向(Vf)

490mV @ 3A

不同 Vr、F时的电容

350pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200µA @ 40V

二极管类型

肖特基

产品

Standard Recovery Rectifiers

产品种类

整流器

供应商器件封装

SOD-128

其它名称

568-7407-6

功率耗散

625 mW

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

-

反向电压

40 V

反向电流IR

35 uA

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-128

封装/箱体

SOD-128

工作温度-结

150°C (最大)

工厂包装数量

3000

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

50 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

430 mV

正向连续电流

3 A

热阻

12°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

40V

电流-平均整流(Io)

3A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

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