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  • 型号: PMEG2010ER,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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PMEG2010ER,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010ER,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010ER,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010ER,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Schottky 20V 1A Surface Mount CFP3。您可以下载PMEG2010ER,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010ER,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY LOW VF

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010ER,115-

数据手册

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产品型号

PMEG2010ER,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

340mV @ 1A

不同 Vr、F时的电容

175pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1mA @ 20V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Rectifiers

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOD123W

其它名称

568-6504-1

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123W

封装/箱体

SOD-123

峰值反向电压

20 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大功率耗散

1.8 W

最大反向漏泄电流

1000 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

50 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

310 mV

正向连续电流

1 A

热阻

18°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

20V

电流-平均整流(Io)

1A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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