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  • 型号: PMEG2010EH,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMEG2010EH,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010EH,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010EH,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010EH,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A(DC) SOD-123F。您可以下载PMEG2010EH,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010EH,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123F肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 20V 1A

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010EH,115-

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产品型号

PMEG2010EH,115

PCN封装

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不同If时的电压-正向(Vf)

500mV @ 1A

不同 Vr、F时的电容

80pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200µA @ 20V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Rectifiers

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOD-123F

其它名称

568-4114-1

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123

峰值反向电压

20 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工具箱

/product-detail/zh/3806684/NXPMEGA1-KIT-ND/1841808

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大功率耗散

375 mW

最大反向漏泄电流

200 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

9 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向电压下降

420 mV

正向连续电流

1 A

热阻

60°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

20V

电流-平均整流(Io)

1A(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

零件号别名

PMEG2010EH T/R

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