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Datasheet下载- 型号： PMEG2010EA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010EA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010EA,115价格参考￥0.30-￥0.30。NXP SemiconductorsPMEG2010EA,115封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A（DC） SOD-323。您可以下载PMEG2010EA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2010EA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010EA,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高效、低正向电压降 (Vf) 的肖特基整流二极管。该型号的二极管具有出色的开关性能和较低的功耗，适用于多种电力转换和保护电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PMEG2010EA,115 广泛应用于各种电源管理系统中，尤其是在需要高效整流的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作输出整流器，将变压器次级的交流电转换为稳定的直流电。由于其低正向电压降特性，能够减少功率损耗，提高电源的整体效率。 2. 电池充电电路 在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电池充电电路中，PMEG2010EA,115 可以用于防止电流反向流动，确保充电过程的安全性和稳定性。它的快速开关特性和低反向漏电流有助于延长电池寿命并提高充电效率。 3. 电机驱动 在电机驱动应用中，PMEG2010EA,115 可以用作续流二极管，吸收电机绕组中的感应电流，防止电压尖峰对其他元件造成损害。其快速响应时间和低功耗特性使其非常适合在高频率开关环境中使用。 4. 太阳能逆变器 太阳能逆变器是将光伏板产生的直流电转换为交流电的关键设备。PMEG2010EA,115 可以用于逆变器的整流部分，帮助提高能量转换效率，并减少热损耗。其低正向电压降特性特别适合太阳能系统，因为这些系统通常工作在较低电压下，任何额外的电压降都会显著影响整体效率。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，PMEG2010EA,115 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和其他电源模块中。其坚固的设计和宽温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在恶劣的汽车环境中可靠工作。此外，它还可以用于保护敏感的电子元件免受瞬态电压的影响。 6. 工业控制 在工业自动化和控制系统中，PMEG2010EA,115 可用于电源整流、信号隔离和保护电路中。其高可靠性、低功耗和快速响应时间使其成为工业应用的理想选择。 总之，PMEG2010EA,115 凭借其卓越的性能和广泛的适用性，成为了许多电力转换和保护电路中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323肖特基二极管与整流器 Schottky 20V 1 A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010EA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010EA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 550mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 25pF @ 5V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 15V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-5035-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 125°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA at 15 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.55 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 220°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2010EA T/R |
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