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  • 型号: PMEG2010BEV,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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PMEG2010BEV,115产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010BEV,115-

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产品型号

PMEG2010BEV,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

500mV @ 1A

不同 Vr、F时的电容

80pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200µA @ 20V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-7390-1

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666

峰值反向电压

20 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

4000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

200 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

10 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向电压下降

0.5 V

正向连续电流

1 A

热阻

80°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

20V

电流-平均整流(Io)

1A(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

零件号别名

PMEG2010BEV T/R

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