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PMEG2010BEV,115产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010BEV,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PMEG2010BEV,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 1A |
不同 Vr、F时的电容 | 80pF @ 1V,1MHz |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 568-7390-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666 |
峰值反向电压 | 20 V |
工作温度-结 | 150°C (最大) |
工作温度范围 | + 150 C |
工厂包装数量 | 4000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 10 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 0.5 V |
正向连续电流 | 1 A |
热阻 | 80°C/W Jl |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
电流-平均整流(Io) | 1A(DC) |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single |
零件号别名 | PMEG2010BEV T/R |