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- 型号： PMDXB600UNE
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMDXB600UNE产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDXB600UNE由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMDXB600UNE价格参考以及NXP SemiconductorsPMDXB600UNE封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMDXB600UNE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMDXB600UNE详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMDXB600UNE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21.3pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 620 毫欧 @ 600mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN （1.1x1） |
| 其它名称 | 568-10941-6 |
| 功率-最大值 | 265mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-dfn1010-transistors/3980 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA |
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