Datasheet下载- 型号： PMDT670UPE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
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PMDT670UPE,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET 阵列。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - PMDT670UPE,115 可用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 - 在电池供电设备中，该器件可用于实现高效的电源切换和保护功能。 2. 电机控制 - 在小型电机驱动电路中，PMDT670UPE,115 可用作半桥或全桥驱动的一部分，用于控制电机的速度和方向。 - 其高频率开关能力适合无刷直流电机（BLDC）和其他需要快速响应的电机控制场景。 3. 信号切换 - 该 MOSFET 阵列适用于信号切换应用，例如多路复用器/解复用器、数据通道切换等。 - 在通信设备中，它可用于射频（RF）信号的切换，确保信号完整性并降低插入损耗。 4. 消费电子 - PMDT670UPE,115 常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和信号切换。 - 它的小型封装（如 DFN115 封装）使其非常适合对空间要求严格的消费电子产品。 5. 工业自动化 - 在工业领域，该器件可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和工业通信模块中的开关电路。 - 其高可靠性设计能够适应工业环境中的严苛条件。 6. 汽车电子 - PMDT670UPE,115 符合车规级标准（如果适用），可用于车载电子系统，例如车身控制模块、信息娱乐系统和电动助力转向系统。 - 它的低功耗特性和高温稳定性使其在汽车环境中表现出色。 7. 保护电路 - 该器件可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路，确保系统在异常情况下安全运行。 - 其快速开关速度有助于及时响应故障状态。 总结来说，PMDT670UPE,115 凭借其高性能、低功耗和紧凑封装，广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子和通信设备等领域，特别是在需要高效电源管理、信号切换和保护功能的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | - 550 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDT670UPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDT670UPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1090 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.09 W |
| Qg-GateCharge | 0.76 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.76 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 670 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.8 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 87pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 850 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10767-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 670 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 550 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 550mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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