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Datasheet下载- 型号： PMDT290UNE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDT290UNE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDT290UNE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDT290UNE,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 800mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PMDT290UNE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDT290UNE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PMDT290UNE,115 是一款晶体管阵列，具体来说是 MOSFET 阵列。该型号的应用场景主要集中在需要高效开关和功率管理的电路中。以下是一些典型应用场景： 1. 电源管理： - 该器件适用于各种电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。它可以在这些系统中作为高效的开关元件，帮助实现电压转换和稳定输出。 2. 电机控制： - 在小型电机驱动应用中，PMDT290UNE,115 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻有助于减少发热，提高效率。 3. 负载开关： - 该器件可以作为负载开关使用，用于动态控制不同负载的供电状态。例如，在多通道供电系统中，可以根据需要开启或关闭某些负载，以节省能源。 4. 电池保护： - 在电池管理系统（BMS）中，PMDT290UNE,115 可以用于防止过充、过放和短路等问题。通过快速响应电流变化，它可以有效地保护电池的安全。 5. 信号切换： - 在通信设备和测试仪器中，该器件可用于高速信号切换。其低电容和快速开关特性使其适合处理高频信号，确保信号完整性。 6. 汽车电子： - 汽车电子系统中，如车身控制模块（BCM）、照明控制、座椅调节等，PMDT290UNE,115 可以提供可靠的开关功能，同时具备良好的抗干扰性能。 7. 消费电子产品： - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，该器件可用于管理内部电源分配，优化功耗，延长电池寿命。 8. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口等，PMDT290UNE,115 可以用于驱动执行器或传感器，确保系统的稳定性和可靠性。 总之，PMDT290UNE,115 凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑的封装尺寸，广泛应用于多种需要高效功率管理和开关控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666MOSFET 20V 800 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 800 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDT290UNE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDT290UNE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 390 mW |
| Pd-功率耗散 | 390 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10766-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 800mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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