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Datasheet下载- 型号： PMDT290UCE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PMDT290UCE,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDT290UCE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDT290UCE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDT290UCE,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 800mA，550mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PMDT290UCE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDT290UCE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT666MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 800 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDT290UCE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDT290UCE,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| Qg-GateCharge | 0.45 nC, 0.76 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.45 nC, 0.76 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms, 670 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms, 670 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V, - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 4 ns, 30 ns |
| 下降时间 | 31 ns, 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 0.95V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10765-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 290 mOhms, 670 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V, - 20 V |
| 漏极连续电流 | 800 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 800mA， 550mA |
| 配置 | Dual |
