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  • 型号: PMDPB70XPE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB70XPE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB70XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB70XPE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3A 515mW 表面贴装 6-HUSON-EP(2x2)。您可以下载PMDPB70XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMDPB70XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSONMOSFET PMDPB70XPE/HUSON6/REEL7

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.2 A

Id-连续漏极电流

- 4.2 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB70XPE,115-

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产品型号

PMDPB70XPE,115

Pd-PowerDissipation

8330 mW

Pd-功率耗散

8.33 W

Qg-GateCharge

5 nC

Qg-栅极电荷

5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

66 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

66 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

上升时间

16 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

600pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

79 毫欧 @ 2A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN2020(2x2)

其它名称

568-10762-6

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

515mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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