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Datasheet下载- 型号： PMDPB70XPE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB70XPE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB70XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB70XPE,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 3A 515mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PMDPB70XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDPB70XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PMDPB70XPE,115 是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。这款器件适用于多种应用场景，尤其在需要高效、低功耗和高可靠性的电路中表现突出。以下是该型号的一些主要应用场景： 1. 电源管理： - PMDPB70XPE,115 常用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和线性稳压器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制： - 在电机驱动应用中，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机，PMDPB70XPE,115 可以提供快速开关和精确控制，确保电机运行平稳且高效。 3. 消费电子： - 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中。其紧凑的封装和低功耗特性非常适合这些对空间和电池寿命要求较高的产品。 4. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器，PMDPB70XPE,115 提供了可靠的开关性能，能够承受严苛的工作环境。 5. 汽车电子： - 汽车行业中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等。其抗电磁干扰（EMI）能力和宽工作温度范围使其非常适合汽车应用。 6. 通信设备： - 在基站、路由器和交换机等通信设备中，PMDPB70XPE,115 的高速开关特性和低噪声特性有助于提高信号完整性和系统稳定性。 7. 电池管理系统（BMS）： - 用于锂电池保护板中，PMDPB70XPE,115 可以实现过充、过放和短路保护，确保电池安全可靠地工作。 8. 智能家居： - 在智能插座、智能照明和其他物联网（IoT）设备中，该器件提供了高效的电源管理和控制功能，支持远程控制和自动化操作。 总之，PMDPB70XPE,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效、低功耗和高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSONMOSFET PMDPB70XPE/HUSON6/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.2 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB70XPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDPB70XPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 8330 mW |
| Pd-功率耗散 | 8.33 W |
| Qg-GateCharge | 5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 79 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020（2x2） |
| 其它名称 | 568-10762-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 515mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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