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PMDPB70XP,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB70XP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB70XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB70XP,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 2.9A 490mW 表面贴装 6-HUSON-EP(2x2)。您可以下载PMDPB70XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMDPB70XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMDPB70XP,115 |
PCN封装 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 87 毫欧 @ 2.9A, 4.5V |
供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
其它名称 | 568-10443-6 |
功率-最大值 | 490mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A |