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  • 型号: PMDPB56XN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMDPB56XN,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB56XN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB56XN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB56XN,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 510mW Surface Mount DFN2020-6。您可以下载PMDPB56XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMDPB56XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V DUAL HUSON6MOSFET 20V, N-Channel Trench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB56XN,115-

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产品型号

PMDPB56XN,115

Pd-PowerDissipation

8330 mW

Pd-功率耗散

8.33 W

Qg-GateCharge

1.9 nC

Qg-栅极电荷

1.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

17 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

170pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

73 毫欧 @ 3.1A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-HUSON(2X2)

其它名称

568-10760-6

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

510mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.1A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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