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Datasheet下载- 型号： PMDPB55XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PMDPB55XP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB55XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB55XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB55XP,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 3.4A 490mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PMDPB55XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDPB55XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V DUAL 6HUSONMOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB55XP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDPB55XP,115 |
| Pd-PowerDissipation | 8300 mW |
| Pd-功率耗散 | 8.3 W |
| Qg-GateCharge | 16.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.65 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.65 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 68 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 785pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10759-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 135 ns |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
