ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PMBTA42DS,125
Datasheet下载- 型号： PMBTA42DS,125
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBTA42DS,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBTA42DS,125价格参考。NXP SemiconductorsPMBTA42DS,125封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 300V 100mA 50MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PMBTA42DS,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBTA42DS,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 300V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 6-Pin |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBTA42DS,125- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBTA42DS,125 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7379-6 |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 |
| 系列 | PMBTA42DS |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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