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PMBT5551,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT5551,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT5551,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT5551,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 300mA 300MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PMBT5551,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT5551,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT5551 和 PMBT215 是 Nexperia USA Inc. 生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号,适用于多种应用场景。以下是对这两种型号的应用场景的详细介绍: 1. PMBT5551 的应用场景 PMBT5551 是一款 NPN 型的小信号晶体管,具有低饱和电压和高开关速度的特点。它广泛应用于以下领域: - 消费电子:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理电路、音频放大器、传感器接口等。由于其低功耗特性,适合用于需要长时间工作的便携式设备。 - 工业控制:在工业自动化系统中,PMBT5551 可以用于驱动继电器、小型电机、LED 指示灯等负载。它的快速开关特性使其能够在高频应用中保持高效。 - 通信设备:在网络路由器、交换机、调制解调器等通信设备中,PMBT5551 可用于信号放大、电平转换、保护电路等场合。 - 汽车电子:在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、车载娱乐系统、传感器接口等,PMBT5551 可以提供可靠的信号处理和驱动功能。 2. PMBT215 的应用场景 PMBT215 是一款 PNP 型的小信号晶体管,同样具有低饱和电压和高开关速度的特点。它的应用场景与 PMBT5551 类似,但更适合用于电流源或需要拉低电平的应用: - 电源管理:PMBT215 可以用于线性稳压器、低压差稳压器(LDO)等电源管理电路中,作为反馈元件或负载开关。 - 信号调理:在传感器信号调理电路中,PMBT215 可以用于信号放大、电平转换等,尤其是在需要将信号拉低到地电平时表现优异。 - 工业控制:类似于 PMBT5551,PMBT215 也可以用于驱动继电器、小型电机等负载,特别是在需要拉低电平的应用中更为合适。 - 汽车电子:在汽车电子系统中,PMBT215 可以用于灯光控制、风扇控制、传感器接口等场合,确保系统的稳定性和可靠性。 总的来说,PMBT5551 和 PMBT215 都是高性能的小信号晶体管,适用于各种低功耗、高频开关和信号处理的应用场景,尤其适合对可靠性和效率有较高要求的消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 160V 300MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT5551,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PMBT5551,215 |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-5034-6 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.3 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 300mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 80 at 1 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
零件号别名 | PMBT5551 T/R |
频率-跃迁 | 300MHz |