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  • 型号: PMBT5551,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMBT5551,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT5551,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT5551,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT5551,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 300mA 300MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PMBT5551,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT5551,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMBT5551 和 PMBT215 是 Nexperia USA Inc. 生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号,适用于多种应用场景。以下是对这两种型号的应用场景的详细介绍:

 1. PMBT5551 的应用场景

PMBT5551 是一款 NPN 型的小信号晶体管,具有低饱和电压和高开关速度的特点。它广泛应用于以下领域:

- 消费电子:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理电路、音频放大器、传感器接口等。由于其低功耗特性,适合用于需要长时间工作的便携式设备。
  
- 工业控制:在工业自动化系统中,PMBT5551 可以用于驱动继电器、小型电机、LED 指示灯等负载。它的快速开关特性使其能够在高频应用中保持高效。

- 通信设备:在网络路由器、交换机、调制解调器等通信设备中,PMBT5551 可用于信号放大、电平转换、保护电路等场合。

- 汽车电子:在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、车载娱乐系统、传感器接口等,PMBT5551 可以提供可靠的信号处理和驱动功能。

 2. PMBT215 的应用场景

PMBT215 是一款 PNP 型的小信号晶体管,同样具有低饱和电压和高开关速度的特点。它的应用场景与 PMBT5551 类似,但更适合用于电流源或需要拉低电平的应用:

- 电源管理:PMBT215 可以用于线性稳压器、低压差稳压器(LDO)等电源管理电路中,作为反馈元件或负载开关。

- 信号调理:在传感器信号调理电路中,PMBT215 可以用于信号放大、电平转换等,尤其是在需要将信号拉低到地电平时表现优异。

- 工业控制:类似于 PMBT5551,PMBT215 也可以用于驱动继电器、小型电机等负载,特别是在需要拉低电平的应用中更为合适。

- 汽车电子:在汽车电子系统中,PMBT215 可以用于灯光控制、风扇控制、传感器接口等场合,确保系统的稳定性和可靠性。

总的来说,PMBT5551 和 PMBT215 都是高性能的小信号晶体管,适用于各种低功耗、高频开关和信号处理的应用场景,尤其适合对可靠性和效率有较高要求的消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 160V 300MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT5551,215-

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产品型号

PMBT5551,215

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-5034-6

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

80 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

零件号别名

PMBT5551 T/R

频率-跃迁

300MHz

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