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  • 型号: PMBT3946YPN,125
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3946YPN,125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3946YPN,125价格参考。NXP SemiconductorsPMBT3946YPN,125封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMBT3946YPN,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT3946YPN,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40 V 200 mA

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3946YPN,125-

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产品型号

PMBT3946YPN,125

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

934061453125
PMBT3946YPN125

功率-最大值

230mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

230 mW

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极连续电流

200 mA

频率-跃迁

300MHz

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