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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT666两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3946VPN,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PMBT3946VPN,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 934063474115 |
功率-最大值 | 240mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 240 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 200 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极连续电流 | 200 mA |
频率-跃迁 | 300MHz,250MHz |