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Datasheet下载- 型号： PMBT3906YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3906YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3906YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPMBT3906YS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88。您可以下载PMBT3906YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3906YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3906YS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于小信号晶体管类别。其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 音频信号放大 - PMBT3906YS,115 可用于低功率音频信号的放大电路中，例如耳机驱动器、小型扬声器放大器等。由于其高增益特性，适合处理微弱的音频信号并将其放大到可听范围。 2. 开关应用 - 在需要高速开关的场景中，该晶体管可以用作电子开关。例如，控制 LED 指示灯、继电器或其他低功耗设备的通断状态。 - 常见于消费电子产品中的信号切换或逻辑电平转换。 3. 射频 (RF) 和无线通信 - 虽然 PMBT3906YS,115 主要设计为小信号晶体管，但在某些低功率射频电路中，它可以用于信号调制、解调或混频。 - 适用于低频段无线通信模块中的信号处理。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，PMBT3906YS,115 可以用作信号放大器或缓冲器。例如，将来自温度传感器、光敏电阻或压力传感器的微弱信号进行放大和处理。 - 通常用于工业自动化、智能家居或物联网设备中的信号采集部分。 5. 电源管理 - 在低功率电源管理电路中，该晶体管可以作为电流调节器或稳压器的一部分。例如，在锂电池充电电路中，用于控制充电电流。 - 还可用于简单的线性稳压器设计，提供稳定的输出电压。 6. 数据通信 - 在低速数据通信电路中，PMBT3906YS,115 可用于信号的放大或整形。例如，RS-232 接口驱动器或红外遥控信号的处理。 7. 教育和实验用途 - 由于其结构简单且性能稳定，PMBT3906YS,115 广泛应用于教学实验和电子爱好者项目中。例如，构建基础放大器、振荡器或逻辑门电路。 总结 PMBT3906YS,115 的典型应用场景集中在低功率、小信号处理领域，适合需要高增益和快速响应的电路设计。其小巧的封装形式（SOT323）使其特别适合空间受限的应用环境，如便携式设备、嵌入式系统和消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 200MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT DUALTRANS SW TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3906YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3906YS,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934061455115 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UMT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 at 0.1 mA at 1 V, 80 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 60 at 50 mA at 1 V, 30 at 100 mA at 1 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 零件号别名 | PMBT3906YS T/R |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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