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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3906M,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3906M,315价格参考。NXP SemiconductorsPMBT3906M,315封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 200mA 250MHz 590mW 表面贴装 DFN1006-3。您可以下载PMBT3906M,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT3906M,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3906M,315 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 信号放大:PMBT3906M,315 可用于音频设备、传感器信号处理等场景中的小信号放大,确保信号的清晰传输和增强。 2. 开关应用:作为开关元件,它适用于各种数字电路中,例如继电器驱动、LED 控制、电机控制等,能够实现高效、稳定的开关功能。 3. 电源管理:在低功耗系统中,这款晶体管可用于电压调节器或电流限制电路,帮助优化电源分配并保护其他电子组件。 4. 消费电子产品:常见于遥控器、玩具、家用电器等需要简单而可靠控制功能的产品中。 5. 通信设备:可用于射频(RF)前端模块中的某些低频部分,提供增益或切换功能。 6. 汽车电子:尽管其性能可能更适用于较低端应用,但在一些非关键车载子系统(如指示灯控制、简单的车内环境监测)中也可能被采用。 由于 PMBT3906M,315 具有小型化封装和良好的电气特性,它非常适合需要紧凑设计且对成本敏感的设计项目。具体使用时需根据实际电路需求选择合适的偏置条件和外围元件搭配,以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP SW 40V 200MA SOT883两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3906M,315- |
数据手册 | |
产品型号 | PMBT3906M,315 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-883 |
其它名称 | 934063476315 |
功率-最大值 | 590mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
封装/箱体 | SC-101 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 260 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极连续电流 | - 200 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |