ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PMBT3904YS,115
Datasheet下载- 型号： PMBT3904YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3904YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3904YS,115价格参考￥0.18-￥0.18。NXP SemiconductorsPMBT3904YS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 350mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PMBT3904YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3904YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PMBT3904YS,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，适用于多种电子设备和应用场景。这款器件具有低噪声、高增益和小封装的特点，使其在各种电路设计中表现出色。 主要应用场景： 1. 音频放大器： PMBT3904YS,115 由于其低噪声特性，非常适合用于音频前置放大器和功率放大器中的信号放大。它能够提供清晰、干净的音频输出，适用于便携式音响、耳机放大器等设备。 2. 射频 (RF) 电路： 在射频应用中，该晶体管可以用于低噪声放大器 (LNA) 和混频器电路。其高频性能使其能够在无线通信设备（如蓝牙模块、Wi-Fi 模块）中提供稳定的信号传输。 3. 开关电源： 在开关电源中，PMBT3904YS,115 可以用作驱动晶体管或反馈电路中的放大元件。其快速开关特性和低饱和电压有助于提高电源效率，减少能耗。 4. 传感器接口电路： 该晶体管可用于传感器信号调理电路，如温度传感器、压力传感器等。它能够将微弱的传感器信号进行放大，确保后续处理的准确性。 5. 模拟信号处理： 在模拟信号处理电路中，PMBT3904YS,115 可用于构建运算放大器、比较器等电路。其高增益特性使得它在信号放大和处理方面表现优异。 6. 工业控制： 在工业控制系统中，该晶体管可以用于信号隔离、驱动继电器或其他执行机构。其可靠性高，能够在恶劣环境下稳定工作。 7. 消费电子产品： 该晶体管广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等。它的小型化封装使其适合用于空间受限的设计，同时保持高性能。 8. 汽车电子： 在汽车电子系统中，PMBT3904YS,115 可用于车载音响、导航系统、车身控制模块等。其抗干扰能力强，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。 总之，PMBT3904YS,115 晶体管凭借其低噪声、高增益和小型化封装等特点，在多个领域有着广泛的应用前景，特别适合对性能和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3904YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3904YS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6489-1 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz at NPN, 250 MHz at PNP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 230 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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