ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > PMBFJ177,215
Datasheet下载- 型号： PMBFJ177,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ177,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ177,215价格参考￥0.97-￥1.29。NXP SemiconductorsPMBFJ177,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET P-Channel 30V 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ177,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBFJ177,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET P-CH 30V 300MW SOT23JFET JFET P-CH 30V 0.8mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 mA |
| Id-连续漏极电流 | 20 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors PMBFJ177,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBFJ177,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 800mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8pF @ 10V（VGS） |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-5033-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏极连续电流 | 20 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 300 欧姆 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
| 零件号别名 | PMBFJ177 T/R |
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