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PMBFJ176,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ176,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ176,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ176,215封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ176,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBFJ176,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | JFET P-CH 30V 300MW SOT23 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMBFJ176,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1V @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8pF @ 10V(VGS) |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-2082-1 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | 250 欧姆 |