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Datasheet下载- 型号： PMBFJ112,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PMBFJ112,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ112,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ112,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ112,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 40V 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ112,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBFJ112,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 40V 300MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 5 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBFJ112,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBFJ112,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 5V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6pF @ 10V（VGS） |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6481-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 闸/源截止电压 | - 5 V to - 1 V |
| 零件号别名 | PMBFJ112 T/R |
