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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ110,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ110,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ110,215封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 25V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ110,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBFJ110,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-InputCapacitance | 50 pF |
Ciss-输入电容 | 50 pF |
描述 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23JFET JFET N-CH 25V 6MA |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors PMBFJ110,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PMBFJ110,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 250 mW |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | +/- 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 10 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4V @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 10mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 10V(VGS) |
产品目录页面 | |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-2080-6 |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 250 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 18 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最大漏极/栅极电压 | - 25 V |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
漏源电压VDS | +/- 25 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
电阻-RDS(开) | 18 欧姆 |
系列 | PMBFJ110 |
输入电容 | 50 pF |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 25 V |
闸/源截止电压 | - 4 V |
零件号别名 | PMBFJ110 T/R |