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型号： PMBD354,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBD354,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBD354,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBD354,215封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 30mA TO-236AB (SOT23)。您可以下载PMBD354,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBD354,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PMBD354,215 的二极管属于射频 (RF) 二极管类别，广泛应用于高频电路中。这类二极管具有低电容、快速开关特性和高效率等优点，适用于多种射频应用领域。

 主要应用场景：

1. 射频开关：
   - PMBD354,215 常用于射频开关电路中，特别是在无线通信设备（如手机、基站、Wi-Fi路由器）中。它能够快速切换射频信号路径，确保信号在不同频率或通道之间高效传输。
   
2. 射频检波与整流：
   - 在射频接收器和发射器中，该二极管可以用于检波和整流功能。它可以将射频信号转换为直流电压，用于信号强度指示或能量收集应用。

3. 保护电路：
   - 在射频前端模块中，PMBD354,215 可以用作保护元件，防止过压或静电放电（ESD）对敏感的射频组件造成损坏。它能够在短时间内承受较高的电流峰值，起到保护作用。

4. 谐波抑制：
   - 该二极管还可以用于谐波抑制电路中，帮助减少不必要的高次谐波信号，提高系统的线性度和性能。这对于需要高纯净度信号的应用非常重要，如卫星通信和雷达系统。

5. 功率放大器中的偏置控制：
   - 在射频功率放大器中，PMBD354,215 可以用于偏置控制电路，确保放大器在不同工作条件下保持稳定的性能。它能够提供精确的电压控制，避免放大器进入非线性区域。

6. 无线充电：
   - 在无线充电系统中，尤其是基于射频技术的无线充电方案，PMBD354,215 可以用于整流和滤波，确保高效的能量传输。

 总结：
PMBD354,215 射频二极管凭借其优异的高频特性，在无线通信、射频前端模块、保护电路、谐波抑制以及无线充电等领域有着广泛的应用。它不仅能够提高系统的性能和可靠性，还能简化设计并降低成本。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 4V 30MA SOT23肖特基二极管与整流器 DIODE SW TAPE-7
产品分类	RF 二极管分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMBD354,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PMBD354,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	1pF @ 0V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 1 对串联
产品	Schottky Diodes
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	SOT-23 (TO-236AB)
其它名称	568-7378-6
功率耗散（最大值）	-
包装	Digi-Reel®
商标	NXP Semiconductors
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
峰值反向电压	4 V
工作温度范围	+ 100 C
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	0.25 uA
最大工作温度	+ 100 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
正向电压下降	0.6 V at 0.01 A
正向连续电流	0.03 A
电压-峰值反向（最大值）	4V
电流-最大值	30mA
配置	Dual Series
零件号别名	PMBD354 T/R