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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMC31,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMC31,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMC31,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PIMC31,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMC31,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PIMC31,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,适用于多种电子设备和应用场景。这款产品主要应用于需要高效、稳定电流控制和开关操作的电路中。 应用场景 1. 电源管理: PIMC31,115 常用于电源管理系统中,特别是在需要精确电流控制和快速响应的应用中。例如,在直流-直流转换器(DC-DC converters)中,它可以帮助实现高效的电压调节和负载管理。其预偏置特性使得它在启动和关闭过程中更加稳定,减少了电压波动和瞬态响应时间。 2. 电机驱动: 在电机驱动应用中,PIMC31,115 可以用于控制电机的转速和方向。由于其低饱和电压和高电流处理能力,它可以有效地驱动小型到中型电机,如步进电机、伺服电机等。预偏置功能确保了电机启动时的平稳性和可靠性,减少了启动冲击。 3. 信号放大: 该器件也适用于信号放大电路,特别是在需要高增益和低噪声的应用中。例如,在音频放大器中,PIMC31,115 可以提供稳定的信号放大,同时保持较低的失真率。其预偏置特性有助于优化工作点,确保放大器在不同负载条件下都能保持最佳性能。 4. 保护电路: 在保护电路中,PIMC31,115 可以用于过流保护、短路保护等功能。通过检测异常电流并迅速切断电源,它可以有效防止电路损坏。预偏置特性使得它能够在检测到故障时快速响应,减少延迟时间。 5. 消费电子产品: 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,PIMC31,115 可以用于各种内部电路的电流控制和管理。例如,在电池管理系统中,它可以确保电池充电和放电过程中的电流稳定,延长电池寿命。 6. 工业自动化: 在工业自动化领域,PIMC31,115 可以用于控制各种传感器、执行器和其他外围设备。其高可靠性和稳定性使其成为工业环境中理想的选择,尤其是在高温、高湿度等恶劣环境下。 总之,PIMC31,115 的预偏置特性、高电流处理能力和低饱和电压使其在多种应用场景中表现出色,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号放大、保护电路等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSOP两极晶体管 - BJT DOUBLE RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMC31,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PIMC31,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-8100-1 |
功率-最大值 | 420mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大功率耗散 | 290 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
频率-跃迁 | - |