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  • 型号: PIMC31,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PIMC31,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMC31,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMC31,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PIMC31,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMC31,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PIMC31,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,适用于多种电子设备和应用场景。这款产品主要应用于需要高效、稳定电流控制和开关操作的电路中。

 应用场景

1. 电源管理:
   PIMC31,115 常用于电源管理系统中,特别是在需要精确电流控制和快速响应的应用中。例如,在直流-直流转换器(DC-DC converters)中,它可以帮助实现高效的电压调节和负载管理。其预偏置特性使得它在启动和关闭过程中更加稳定,减少了电压波动和瞬态响应时间。

2. 电机驱动:
   在电机驱动应用中,PIMC31,115 可以用于控制电机的转速和方向。由于其低饱和电压和高电流处理能力,它可以有效地驱动小型到中型电机,如步进电机、伺服电机等。预偏置功能确保了电机启动时的平稳性和可靠性,减少了启动冲击。

3. 信号放大:
   该器件也适用于信号放大电路,特别是在需要高增益和低噪声的应用中。例如,在音频放大器中,PIMC31,115 可以提供稳定的信号放大,同时保持较低的失真率。其预偏置特性有助于优化工作点,确保放大器在不同负载条件下都能保持最佳性能。

4. 保护电路:
   在保护电路中,PIMC31,115 可以用于过流保护、短路保护等功能。通过检测异常电流并迅速切断电源,它可以有效防止电路损坏。预偏置特性使得它能够在检测到故障时快速响应,减少延迟时间。

5. 消费电子产品:
   在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,PIMC31,115 可以用于各种内部电路的电流控制和管理。例如,在电池管理系统中,它可以确保电池充电和放电过程中的电流稳定,延长电池寿命。

6. 工业自动化:
   在工业自动化领域,PIMC31,115 可以用于控制各种传感器、执行器和其他外围设备。其高可靠性和稳定性使其成为工业环境中理想的选择,尤其是在高温、高湿度等恶劣环境下。

总之,PIMC31,115 的预偏置特性、高电流处理能力和低饱和电压使其在多种应用场景中表现出色,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号放大、保护电路等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSOP两极晶体管 - BJT DOUBLE RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMC31,115-

数据手册

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产品型号

PIMC31,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 2.5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

70 @ 50mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-8100-1

功率-最大值

420mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大功率耗散

290 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

频率-跃迁

-

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