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  • 型号: PHU97NQ03LT,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHU97NQ03LT,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHU97NQ03LT,127价格参考。NXP SemiconductorsPHU97NQ03LT,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHU97NQ03LT,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHU97NQ03LT,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 75A I-PAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHU97NQ03LT,127-

数据手册

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产品型号

PHU97NQ03LT,127

Pd-PowerDissipation

107 W

Pd-功率耗散

107 W

Qg-GateCharge

11.7 nC

Qg-栅极电荷

11.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

12.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.6 V

上升时间

33 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1570pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.6 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

934061436127
PHU97NQ03LT
PHU97NQ03LT-ND

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

107W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

12.3 mOhms

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

3750

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

75 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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