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PHT4NQ10T,135产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT4NQ10T,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT4NQ10T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT4NQ10T,135封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.5A(Tc) 6.9W(Tc) SOT-223。您可以下载PHT4NQ10T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHT4NQ10T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PHT4NQ10T,135 是一款单通道增强型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PHT4NQ10T,135 常用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功率损耗,提高转换效率。它适用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的充电电路中。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,MOSFET 作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。PHT4NQ10T,135 可以用于无人机、电动工具、家用电器(如风扇、吸尘器)中的电机控制电路,提供高效的开关性能。 3. 负载切换 该器件可用于负载切换电路,例如在汽车电子系统中,控制车灯、雨刷、座椅加热等负载的通断。它的快速开关特性和低导通电阻有助于减少能量损失,延长电池寿命。 4. 信号处理 在一些信号处理电路中,PHT4NQ10T,135 可用作信号开关,实现信号的传输或隔离。它适用于音频放大器、数据通信设备等,确保信号的完整性和稳定性。 5. 保护电路 PHT4NQ10T,135 还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。当检测到异常电流时,MOSFET 快速切断电路,防止损坏其他元器件。这种保护功能常见于电源适配器、USB 充电接口等设备中。 6. LED 驱动 在 LED 照明系统中,MOSFET 用于调节 LED 的亮度和颜色。PHT4NQ10T,135 可以精确控制电流,确保 LED 的稳定工作,同时提高能效,减少热量产生。 总结 PHT4NQ10T,135 凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载切换、信号处理、保护电路和 LED 驱动等多个领域展现出广泛的应用前景。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,使其成为众多电子产品的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT4NQ10T,135TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | PHT4NQ10T,135 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 6.9 W |
Pd-功率耗散 | 6.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 1.75A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-6777-1 |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 6.9W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SC-73-4 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | /T3 PHT4NQ10T |