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  • 型号: PHT4NQ10T,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PHT4NQ10T,135产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHT4NQ10T,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT4NQ10T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT4NQ10T,135封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.5A(Tc) 6.9W(Tc) SOT-223。您可以下载PHT4NQ10T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHT4NQ10T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PHT4NQ10T,135 是一款单通道增强型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
PHT4NQ10T,135 常用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功率损耗,提高转换效率。它适用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的充电电路中。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,MOSFET 作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。PHT4NQ10T,135 可以用于无人机、电动工具、家用电器(如风扇、吸尘器)中的电机控制电路,提供高效的开关性能。

 3. 负载切换
该器件可用于负载切换电路,例如在汽车电子系统中,控制车灯、雨刷、座椅加热等负载的通断。它的快速开关特性和低导通电阻有助于减少能量损失,延长电池寿命。

 4. 信号处理
在一些信号处理电路中,PHT4NQ10T,135 可用作信号开关,实现信号的传输或隔离。它适用于音频放大器、数据通信设备等,确保信号的完整性和稳定性。

 5. 保护电路
PHT4NQ10T,135 还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。当检测到异常电流时,MOSFET 快速切断电路,防止损坏其他元器件。这种保护功能常见于电源适配器、USB 充电接口等设备中。

 6. LED 驱动
在 LED 照明系统中,MOSFET 用于调节 LED 的亮度和颜色。PHT4NQ10T,135 可以精确控制电流,确保 LED 的稳定工作,同时提高能效,减少热量产生。

 总结
PHT4NQ10T,135 凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载切换、信号处理、保护电路和 LED 驱动等多个领域展现出广泛的应用前景。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,使其成为众多电子产品的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.5 A

Id-连续漏极电流

3.5 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT4NQ10T,135TrenchMOS™

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产品型号

PHT4NQ10T,135

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

6.9 W

Pd-功率耗散

6.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

250 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

250 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

250 毫欧 @ 1.75A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6777-1

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

6.9W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73-4

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

/T3 PHT4NQ10T

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