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Datasheet下载- 型号： PHT4NQ10T,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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PHT4NQ10T,135产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT4NQ10T,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT4NQ10T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT4NQ10T,135封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 6.9W（Tc） SOT-223。您可以下载PHT4NQ10T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT4NQ10T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT4NQ10T,135TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHT4NQ10T,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 6.9 W |
| Pd-功率耗散 | 6.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1.75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6777-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 6.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SC-73-4 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | /T3 PHT4NQ10T |
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