Datasheet下载- 型号： PHE13009/DG,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHE13009/DG,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHE13009/DG,127价格参考。NXP SemiconductorsPHE13009/DG,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHE13009/DG,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHE13009/DG,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 400V 12A TO220AB两极晶体管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PHE13009/DG,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHE13009/DG,127 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2V @ 1.6A，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5A，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 934065587127 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 80 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 8 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极连续电流 | 12 A |
| 频率-跃迁 | - |
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